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APT34F100B2

型号：

APT34F100B2

制造商：

ISC

客户编号:

型号描述：

场效应晶体管MOSFET

文件规格书:

规格

产品属性

属性值

Packaging：

Tube

Package / Case：

TO-247-3 Variant

Mounting Type：

Through Hole

Operating Temperature：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

FET Type：

N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

35A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

380mOhm @ 18A, 10V

FET Feature：

Power Dissipation (Max)：

1135W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id：

5V @ 2.5mA

Supplier Device Package：

T-MAX™ [B2]

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Vgs (Max)：

±30V

Drain to Source Voltage (Vdss)：

1000 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

305 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

9835 pF @ 25 V

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